シリコンエッチングとは、シリコン基板そのものを腐食させ、立体構造を形成する技術です。シリコンの腐食には、一定方向に進むもの（異方性）と、全方向に進むもの（等方性）とがあります。

異方性の原理は、シリコンの結晶構造によるものです。シリコンには、腐食作用が結晶方向に沿って進む性質があります。この性質を利用して、エッチング面が平坦になるようなエッチングを行うことができます。異方性エッチングを行う場合、基板には単結晶のシリコンを使用し、エッチング液にはKOH水溶液などを用います。

単結晶のシリコンウエハは、結晶方向によって＜100＞や＜110＞などに種類分けされています。これを選ぶことで、溝加工の種類を選択することができます。また、エッチング液の種類によって、等方性エッチングにもなります。