
レジストパターンはエッチング工程で、メタル薄膜などをエッチング液から守る膜として使用されています。
高精度のメタルパターンを実現するために、高解像度で密着性・溶融性の高いフォトレジストが研究開発されています。
近年、深さ方向に対して解像度が高いレジストが開発されました(東京応化工業株式会社製、日本化薬株式会社製など)。
つまり、平面のレジストパターンに高さを与えることができるようになったのです。
このことで、レジストパターンは単なる防御膜ではなく、微細な立体構造そのものとなり、その使用用途にも新たな可能性が出てきました。
このレジストは、パターンの線幅と膜の厚さ(=高さ)の縦横比が高いことから「高アスペクト比レジスト」と呼ばれています。
当社ではアスペクト比1:5(線幅10μmに対し、高さが50μm)の加工実績があります。


リブ幅:10μm、 高さ:56μm
使用レジスト:KMPR(日本化薬(株)製)


直径:3μm、 高さ:13μm
使用レジスト:SU-8(日本化薬(株)製)

流路、セル隔壁、スタンパー、その他




